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LED外延片及質(zhì)量辨別方法
日期：2024-08-20 22:50
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摘要：
LED外延片及質(zhì)量辨別方法
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程非常復(fù)雜，其檢測(cè)過(guò)程也比較復(fù)雜，基本的方法是每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為**品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激光切割外延片，然后***分撿，根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，也就是形成led晶片(方片)。然后還要進(jìn)行目測(cè)，把有一點(diǎn)缺陷或者電極有磨損的，分撿出來(lái)，這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或**等。**品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求)，就不用來(lái)做方片，就直接做電極(P極，N極)，也不做分檢了，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(這里面也有好東西，如方片等)。
半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
歷史上，外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片)。
外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片，也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量*好的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程非常復(fù)雜，其檢測(cè)過(guò)程也比較復(fù)雜，基本的方法是每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為**品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激光切割外延片，然后***分撿，根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，也就是形成led晶片(方片)。然后還要進(jìn)行目測(cè)，把有一點(diǎn)缺陷或者電極有磨損的，分撿出來(lái)，這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或**等。**品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求)，就不用來(lái)做方片，就直接做電極(P極，N極)，也不做分檢了，也就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片(這里面也有好東西，如方片等)。
半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
歷史上，外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片)。
外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片，也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量*好的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。